日前,有媒体报道称,三星3nm制程工艺将在2024年下半年趋于成熟。
同时,三星将开始大规模生产基于3nm制程工艺的Exynos处理器Exynos 2500,由三星Galaxy S25系列首发搭载。
据悉,在3nm制程上,三星率先应用了全环绕栅极工艺(GAA,全称Gate-All-AroundT),打破了FinFET技术的性能限制。
依靠这一工艺,三星实现了通过降低工作电压水平来提高能耗比,同时通过增加驱动电流增强芯片性能。
与5nm制程相比,三星3nm GAA工艺可以使功耗降低45%,性能提升23%,芯片面积减少16%。
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